一、什么是镀膜硅片，金属膜层硅片含义是什么？

镀膜硅片：是指抛光单晶硅基底表面，通过 LPCVD、PECVD、热氧化、溅射、ALD 等工艺生长一层或多层功能性薄膜的硅片，基底可以是常规标准片、超薄硅片、超平硅片、超厚定制硅片均可做镀膜加工。主流基底：Φ80mm P<100> 单面抛光硅片最为常用。

二、市面上主流镀膜类型及应用？

1、热氧化二氧化硅 SiO₂（用量最大）：是通过干湿氧化法在硅片的表面形成氧化膜。用膜厚：50nm、100nm、200nm、500nm、1μm、2μm、3μm。该做法与硅基底结合力极强、绝缘性优秀、化学稳定性强、耐高温、应力均匀。

2、氮化硅 Si₃N₄：制备方式：LPCVD / PECVD；膜厚常见：50~1000nm。特点：阻隔水氧、钠离子等杂质能力极强，机械耐磨、抗腐蚀、绝缘耐压高于 SiO₂。

3、多晶硅 Poly-Si：LPCVD 沉积掺杂 / 本征多晶硅。膜厚：0.3~2μm。用途：MOS 栅极电极、MEMS 可动结构层、功率器件场板、欧姆接触过渡层。

4、金属薄膜（溅射为主）：通常采用Al、Ti、TiN、Cu、Au、Pt、Ni、Cr 等；Ti/TiN：粘附层 + 阻挡层，防止金属向硅内部扩散；Al：传统金属布线电极；Au/Pt：高精度测试电极、生物传感电极、高温稳定电极；适用：电学测试焊盘、MEMS 引线、传感器电极。

5、ALD 氧化铝 Al₂O₃、氧化铪 HfO₂等高 k 介质。超薄致密膜层，几个纳米到百纳米级别，超高介电常数。应用：先进栅介质、电容绝缘层、高精度阻隔膜、MEMS 钝化。

6、碳化硅 SiC、类金刚石 DLC 膜。高硬度、耐磨、低摩擦，用于耐磨 MEMS、精密机械硅结构防护。

三、可供参考的常见的镀膜方案

1、基础科研标配：P<100> 硅片 + 单面热氧化 SiO₂ 500nm；用于光刻、简单刻蚀、基础绝缘实验。

2、MEMS 专用：基底 + SiO₂绝缘层 + Si₃N₄保护层双层复合膜；耐腐蚀、绝缘、结构防护一步到位。

3、电学测试电极片：SiO₂绝缘层 + Ti/Au 金属电极薄膜，直接拿来做 IV 电学测试。

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